Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
8.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 11,03
€ 0,552 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 11,03
€ 0,552 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,552 | € 11,03 |
200 - 480 | € 0,475 | € 9,50 |
500+ | € 0,412 | € 8,25 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
8.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku