MOSFET NTF6P02T3G P-kanálový 8,4 A 20 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 808-4138PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTF6P02T3G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

70 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

8.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 113,50

€ 0,568 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTF6P02T3G P-kanálový 8,4 A 20 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 113,50

€ 0,568 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTF6P02T3G P-kanálový 8,4 A 20 V, SOT-223, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
200 - 480€ 0,568€ 11,35
500+€ 0,492€ 9,85

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT223

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

70 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

8.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

3.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.7mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.65mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more