Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
8.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 113,50
€ 0,568 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 113,50
€ 0,568 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,568 | € 11,35 |
| 500+ | € 0,492 | € 9,85 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
8.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


