MOSFET NTHD4102PG P-kanálový 4,1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,38
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,38
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products