Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 22,62
€ 0,905 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 22,62
€ 0,905 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Páska |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,905 | € 22,62 |
100 - 225 | € 0,78 | € 19,50 |
250+ | € 0,676 | € 16,91 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,6 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku