MOSFET NTHD4508NG N-kanálový 4.1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 780-0591PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTHD4508NT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

Čip FET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

115 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

2.1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,6 nC při 4,5 V

Breite

1.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTHD4508NG N-kanálový 4.1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTHD4508NG N-kanálový 4.1 A 20 V, Čip FET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

Čip FET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

115 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

2.1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

3.1mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,6 nC při 4,5 V

Breite

1.7mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more