Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
52 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 4,5 V DC
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 4,33
€ 0,433 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 4,33
€ 0,433 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
Čip FET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
52 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25 nC při 4,5 V DC
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


