MOSFET NTJD1155LT1G N/P-kanálový-kanálový 1,3 A 8 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Spínač zátěže N+P Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Spínač zátěže N+P
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, ON on Semiconductor
NTJD1155L je dvoukanálový MOSFET. Tento MOSFET, který je vybaven kanály P i N do jednoho balení, je oslnivý pro nízký řídicí signál, nízké napětí baterie a velký zatěžovací proud. Kanál N je vybaven interní ochranou proti elektrostatickému výboji a lze jej řídit logickým signálem s nízkým napětím 1,5 V, zatímco kanál P-Channel je navržen pro použití v aplikacích přepínání zatížení. Kanál P byl také navržen s využitím technologie polovičního zákopu.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,73
€ 0,286 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 5,73
€ 0,286 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
320 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Spínač zátěže N+P
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+8 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální, N/P-Channel MOSFET, ON on Semiconductor
NTJD1155L je dvoukanálový MOSFET. Tento MOSFET, který je vybaven kanály P i N do jednoho balení, je oslnivý pro nízký řídicí signál, nízké napětí baterie a velký zatěžovací proud. Kanál N je vybaven interní ochranou proti elektrostatickému výboji a lze jej řídit logickým signálem s nízkým napětím 1,5 V, zatímco kanál P-Channel je navržen pro použití v aplikacích přepínání zatížení. Kanál P byl také navržen s využitím technologie polovičního zákopu.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products