MOSFET NTJD4001NT1G N-kanálový 250 mA 30 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
250 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,72 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.35mm
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 5 V
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 248,44
€ 0,083 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 248,44
€ 0,083 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
250 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
2,72 W
Konfigurace tranzistoru
Izolovaný
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.35mm
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 5 V
Počet prvků na čip
2
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products