Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
880 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.35mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,09
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,09
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
880 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.35mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku