MOSFET NTJD4152PG P-kanálový 880 mA 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
880 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,36
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,36
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 50 | € 0,36 | € 9,00 |
| 75 - 125 | € 0,25 | € 6,25 |
| 150 - 275 | € 0,15 | € 3,75 |
| 300 - 575 | € 0,15 | € 3,75 |
| 600+ | € 0,14 | € 3,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
880 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products