Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
266 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,03
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
€ 0,03
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
266 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku