Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
266 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,161
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
€ 0,161
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
Štandardný
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 100 | € 0,161 | € 8,06 |
150 - 250 | € 0,076 | € 3,80 |
300 - 550 | € 0,071 | € 3,53 |
600 - 1150 | € 0,069 | € 3,43 |
1200+ | € 0,067 | € 3,35 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
300 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
266 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,9 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku