Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,4 nC při 4,5 V
Höhe
0.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,28
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,28
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
2mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,4 nC při 4,5 V
Höhe
0.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku