MOSFET NTMD4N03G N-kanálový 4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8 nC při 10 V DC
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,25
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,25
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8 nC při 10 V DC
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products