Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8 nC při 10 V DC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,19
€ 0,619 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 6,19
€ 0,619 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,619 | € 6,19 |
| 100 - 240 | € 0,534 | € 5,34 |
| 250 - 490 | € 0,463 | € 4,63 |
| 500 - 990 | € 0,407 | € 4,07 |
| 1000+ | € 0,37 | € 3,70 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
80 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8 nC při 10 V DC
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


