MOSFET NTMD4N03R2G N-kanálový 4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 780-0674Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTMD4N03R2G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

80 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8 nC při 10 V DC

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,19

€ 0,619 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET NTMD4N03R2G N-kanálový 4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 6,19

€ 0,619 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET NTMD4N03R2G N-kanálový 4 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 0,619€ 6,19
100 - 240€ 0,534€ 5,34
250 - 490€ 0,463€ 4,63
500 - 990€ 0,407€ 4,07
1000+€ 0,37€ 3,70

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

80 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

2 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8 nC při 10 V DC

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more