Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
191 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
113,6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.9mm
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
88 nC při 11,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
P.O.A.
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
P.O.A.
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
191 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
113,6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.9mm
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
88 nC při 11,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia


