MOSFET NTMFS4841NHG N-kanálový 59 A 30 V, SO-8FL, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 780-4708PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTMFS4841NHT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

59 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SO-8FL

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

11,6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

41.7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,3 nC při 4,5 V, 24,4 nC při 11,5 V

Breite

6.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5.1mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTMFS4841NHG N-kanálový 59 A 30 V, SO-8FL, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTMFS4841NHG N-kanálový 59 A 30 V, SO-8FL, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

59 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SO-8FL

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

11,6 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

41.7 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

11,3 nC při 4,5 V, 24,4 nC při 11,5 V

Breite

6.1mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5.1mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more