MOSFET NTMFS4841NHTG N-kanálový 59 A 30 V, SO-8FL, počet kolíků: 8 Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
59 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
11,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
41,7 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,3 nC při 4,5 V, 24,4 nC při 11,5 V
Breite
6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
59 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
11,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
41,7 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,3 nC při 4,5 V, 24,4 nC při 11,5 V
Breite
6.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products