Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
378 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NTMFS5C404N
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
128 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 55,60
€ 5,56 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 55,60
€ 5,56 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
10 - 99 | € 5,56 |
100 - 499 | € 4,81 |
500 - 999 | € 4,24 |
1000+ | € 3,85 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
378 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NTMFS5C404N
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
700 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
128 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku