Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
185 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
106 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
NTMFS5C430N
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,98
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 0,98
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
185 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
106 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
47 nC při 10 V
Höhe
1.05mm
Řada
NTMFS5C430N
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku