Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
78 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,14
€ 0,614 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 6,14
€ 0,614 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
78 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
7.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
50 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku