MOSFET NTMFS5C604NLT1G N-kanálový 276 A 60 V, SO-8FL, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
276 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
167 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.1mm
Länge
6.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 475,79
€ 0,984 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 1 475,79
€ 0,984 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
276 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
167 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5.1mm
Länge
6.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products