Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
89 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
66 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33,7 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 93,00
€ 1,86 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 93,00
€ 1,86 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
50 - 95 | € 1,86 | € 9,30 |
100 - 495 | € 1,612 | € 8,06 |
500 - 995 | € 1,418 | € 7,09 |
1000+ | € 1,29 | € 6,45 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
89 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SO-8FL
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6.3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
66 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
33,7 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku