Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
313 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
167 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
143 nC při 10 V.
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.9mm
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,16
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 2,16
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
313 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 μΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
167 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
143 nC při 10 V.
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.9mm
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V