MOSFET NTMS4801NG N-kanálový 12 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 802-1484PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTMS4801NR2G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

12 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

12.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

2.1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTMS4801NG N-kanálový 12 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 25.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 25.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

25

Dostupné v násobkoch 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTMS4801NG N-kanálový 12 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 25.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 25.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

25

Dostupné v násobkoch 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

12 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

12.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

2.1 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

25 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more