Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
196 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
62.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.28mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Breite
4.82mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.28mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
196 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
62.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.28mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Breite
4.82mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.28mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku