MOSFET NTP5864NG N-kanálový 63 A 60 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
63 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.28mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
31 nC při 10 V
Breite
15.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.82mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
63 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.28mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
31 nC při 10 V
Breite
15.75mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.82mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products