MOSFET NTR1P02LG P-kanálový 1,3 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.25V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,1 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,11
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
200
€ 0,11
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
200
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,11 | € 22,00 |
| 400 - 800 | € 0,10 | € 20,00 |
| 1000 - 1800 | € 0,10 | € 20,00 |
| 2000+ | € 0,09 | € 18,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.25V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,1 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products