MOSFET NTR1P02T1G P-kanálový 1 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 688-9143PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTR1P02T1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Maximální ztrátový výkon

400 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,5 nC při 5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.94mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 0,52

€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTR1P02T1G P-kanálový 1 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 0,52
4€ 1,04
6€ 1,56
8€ 2,08
10€ 2,60
12€ 3,12
14€ 3,64
16€ 4,16
18€ 4,68
20€ 5,20
22€ 5,72
24€ 6,24
26€ 6,76
28€ 7,28
30€ 7,80

€ 0,52

€ 0,26 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTR1P02T1G P-kanálový 1 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2€ 0,52
4€ 1,04
6€ 1,56
8€ 2,08
10€ 2,60
12€ 3,12
14€ 3,64
16€ 4,16
18€ 4,68
20€ 5,20
22€ 5,72
24€ 6,24
26€ 6,76
28€ 7,28
30€ 7,80

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.3V

Maximální ztrátový výkon

400 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.3mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

2.9mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,5 nC při 5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.94mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more