Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,5 nC při 5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,32
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
€ 0,32
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 98 | € 0,32 | € 0,64 |
100 - 198 | € 0,31 | € 0,62 |
200 - 498 | € 0,25 | € 0,50 |
500 - 998 | € 0,24 | € 0,48 |
1000+ | € 0,22 | € 0,44 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
180 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Maximální ztrátový výkon
400 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
2.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,5 nC při 5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.94mm
Podrobnosti o výrobku