Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
560 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
690 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,15 nC při 5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 30 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,09
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
100
€ 0,09
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
100
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,09 | € 9,00 |
500 - 900 | € 0,09 | € 9,00 |
1000+ | € 0,06 | € 6,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
560 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
690 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,15 nC při 5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku