Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
730 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 5,40
€ 0,27 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 5,40
€ 0,27 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 198 | € 0,27 | € 0,54 |
| 200 - 998 | € 0,235 | € 0,47 |
| 1000 - 1998 | € 0,205 | € 0,41 |
| 2000+ | € 0,185 | € 0,37 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
85 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
730 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 4,5 V
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.9mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.94mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


