MOSFET NTR4171PT1G P-kanálový 3,5 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,6 nC při 10 V, 7,4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,52
€ 0,301 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 7,52
€ 0,301 Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,6 nC při 10 V, 7,4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products