MOSFET NTR4171PG P-kanálový 3,5 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,6 nC při 10 V, 7,4 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,32
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,32
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,32 | € 8,00 |
| 50 - 100 | € 0,32 | € 8,00 |
| 125 - 225 | € 0,31 | € 7,75 |
| 250 - 475 | € 0,30 | € 7,50 |
| 500+ | € 0,29 | € 7,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
150 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,6 nC při 10 V, 7,4 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.01mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products