Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
329 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 54,90
€ 0,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
€ 54,90
€ 0,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 500 - 950 | € 0,11 | € 5,49 |
| 1000+ | € 0,095 | € 4,77 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
329 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,4 nC při 4,5 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
0.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


