MOSFET NTS4101PT1G P-kanálový 1,37 A 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 780-4767PZnačka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTS4101PT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.37 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-323

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

160 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

329 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

2.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,4 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 54,90

€ 0,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTS4101PT1G P-kanálový 1,37 A 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 54,90

€ 0,11 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET NTS4101PT1G P-kanálový 1,37 A 20 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
500 - 950€ 0,11€ 5,49
1000+€ 0,095€ 4,77

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.37 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-323

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

160 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.5V

Maximální ztrátový výkon

329 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

2.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,4 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.9mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more