MOSFET NTS4173PG P-kanálový 1,3 A 30 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,1 nC při 10 V, 4,8 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,33
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
25
€ 0,33
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Páska |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 0,33 | € 8,25 |
| 50 - 100 | € 0,23 | € 5,75 |
| 125 - 225 | € 0,15 | € 3,75 |
| 250 - 475 | € 0,13 | € 3,25 |
| 500+ | € 0,13 | € 3,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10,1 nC při 10 V, 4,8 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.9mm
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 30 V až 500 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products