Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-963
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
1.05mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální MOSFET N-Channel, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 11,18
€ 0,447 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 11,18
€ 0,447 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
280 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-963
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
200 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
0.85mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Länge
1.05mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku