MOSFET NTZD3152PT1G P-kanálový 430 mA 20 V, SOT-563, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
430 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
2
Breite
1.3mm
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 380,48
€ 0,095 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
€ 380,48
€ 0,095 Each (On a Reel of 4000) (bez DPH)
4000
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
430 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-6 V, +6 V
Počet prvků na čip
2
Breite
1.3mm
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,7 nC při 4,5 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products