MOSFET NTZS3151PT1G P-kanálový 950 mA 20 V, SOT-563, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
950 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
240 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
210 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,6 nC při 4,5 V
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 23,28
€ 0,233 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 23,28
€ 0,233 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,233 | € 5,82 |
| 250 - 475 | € 0,202 | € 5,05 |
| 500 - 975 | € 0,178 | € 4,44 |
| 1000+ | € 0,162 | € 4,04 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
950 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-563
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
240 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
210 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,6 nC při 4,5 V
Höhe
0.6mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí MOSFET s kanálem P, 20 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products