Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDiodová konfigurace
Složité pole
Product Type
Pole diody TVS
Direction Type
Uni-Directional
Minimum Breakdown Voltage Vbr
6V
Mount Type
Surface
Package Type
SOIC
Pinanzahl
8
Špičkový impulsní výkon Pppm
500W
Svorkové napětí
25V
Minimum Operating Temperature
-10°C
Test Current It
1mA
Ochrana ESD
Yes
Maximální pracovní teplota
150°C
Number of Elements per Chip
4
Länge
6mm
Height
1.5mm
Normy/schválení
No
Maximum Reverse Leakage Current
10μA
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
Ochrana ESD pro vysokorychlostní data pomocí přechodových napěťových Suppresorů
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 56,50
€ 0,565 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 56,50
€ 0,565 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,565 | € 5,65 |
| 250 - 490 | € 0,499 | € 4,99 |
| 500 - 990 | € 0,486 | € 4,86 |
| 1000+ | € 0,474 | € 4,74 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDiodová konfigurace
Složité pole
Product Type
Pole diody TVS
Direction Type
Uni-Directional
Minimum Breakdown Voltage Vbr
6V
Mount Type
Surface
Package Type
SOIC
Pinanzahl
8
Špičkový impulsní výkon Pppm
500W
Svorkové napětí
25V
Minimum Operating Temperature
-10°C
Test Current It
1mA
Ochrana ESD
Yes
Maximální pracovní teplota
150°C
Number of Elements per Chip
4
Länge
6mm
Height
1.5mm
Normy/schválení
No
Maximum Reverse Leakage Current
10μA
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku


