Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp směru
Uni-Directional
Diodová konfigurace
Složité pole
Minimální poruchové napětí
70V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Maximální závěrné přechodné napětí
70V
Pinanzahl
6
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
4
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.1 x 1.7 x 1mm
Länge
3.1mm
Höhe
1mm
Breite
1.7mm
Testovací proud
100µA
Maximální závěrný svodový proud
50µA
Podrobnosti o výrobku
NUP4301MR6T1, diodové pole s nízkou kapacitou pro ochranu proti ESD ve čtyřech datových řadách
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp směru
Uni-Directional
Diodová konfigurace
Složité pole
Minimální poruchové napětí
70V
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
TSOP-1
Maximální závěrné přechodné napětí
70V
Pinanzahl
6
Ochrana ESD
Yes
Počet prvků na čip
4
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Abmessungen
3.1 x 1.7 x 1mm
Länge
3.1mm
Höhe
1mm
Breite
1.7mm
Testovací proud
100µA
Maximální závěrný svodový proud
50µA
Podrobnosti o výrobku