Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
163 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NVD5C434N
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80,6 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,155
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 3,155
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
163 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NVD5C434N
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
117 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80,6 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku