Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
49 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
44 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,7 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Řada
NVD5C668NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,78
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,78
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
49 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
44 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,7 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Řada
NVD5C668NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku