standard: AEC-Q101, řada: NVD5C668NLMOSFET NVD5C668NLT4G N-kanálový 49 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
49 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
NVD5C668NL
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
44 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,7 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.38mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 96,70
€ 1,934 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 96,70
€ 1,934 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 95 | € 1,934 | € 9,67 |
| 100 - 495 | € 1,678 | € 8,39 |
| 500 - 995 | € 1,474 | € 7,37 |
| 1000+ | € 1,342 | € 6,71 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
49 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
NVD5C668NL
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
12.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
44 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.22mm
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18,7 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
2.38mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products