Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
18 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±16 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Řada
NVD5C688NL-D
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,12
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 1,12
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
18 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±16 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Řada
NVD5C688NL-D
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku