standard: AEC-Q101, řada: NVMFS5C404NLMOSFET NVMFS5C404NLWFAFT1G N-kanálový 370 A 40 V, DFN, počet kolíků: 4 + Tab
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
370 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NVMFS5C404NL
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
181 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,23
€ 6,23 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 6,23
€ 6,23 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
370 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NVMFS5C404NL
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
181 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 40 V, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products