Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
55 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia
P.O.A.
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
P.O.A.
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
80 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
5
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
55 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Krajina pôvodu
Malaysia