standard: AEC-Q101, řada: NVMFS5C604NLMOSFET NVMFS5C604NLAFT1G N-kanálový 287 A 60 V, DFN, počet kolíků: 4 + Tab
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
287 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
NVMFS5C604NL
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 4 122,00
€ 2,748 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 4 122,00
€ 2,748 Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
287 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
NVMFS5C604NL
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
6.1mm
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
1.05mm
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products