standard: AEC-Q101, řada: NVTFS5C658NLMOSFET NVTFS5C658NL N-kanálový 109 A 60 V, WDFN, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
109 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
114 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Řada
NVTFS5C658NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,62
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
€ 0,62
Each (On a Reel of 1500) (bez DPH)
1500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
109 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
114 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Řada
NVTFS5C658NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products